TS200

Описание

Основные возможности:

• Эргономичный дизайн позволяет быстро позиционировать образец при помощи ручного пантографа.
• Устойчивая плита, допускающая установку до 10 DC или 4 RF-позиционеров
• Воспроизводимый дизайн подъемника плиты с 3 отдельными режимами: для загрузки образца, контакта с образцом и промежуточный
• Антивибрационная платформа в комплекте
• Русскоязычное ПО
• Возможность использования дополнительного навешиваемого на микроскоп оборудования при помощи жесткого моста для микроскопа

Функции и преимущества:

Платформа с пневматическим подшипником

Уникальная конструкция платформы с пневматическим подшипником компании MPI обладает простым передвижным приспособлением, управляемым одной рукой. Это позволяет осуществлять быстрое перемещение по осям XY и загружать пластину без ухудшения высокопрецизионного позиционирования. Дополнительное высокоточное перемещение осуществляется с помощью микрометрического винта по осям XY и вращение (Theta) с шагом 25 x 25 мм.

Уникальный механизм подъема платформы

Точность измерений зависит, прежде всего, от качества контакта! Конструкция механизма подъема платформы с высокой степенью повторяемости (1µm) имеет три раздельных положения для обеспечения контакта, зазора (300 µm) и загрузки (3 мм) с безопасным запорным приспособлением. Данные функции предотвращают нежелательное повреждение зонда или пластины, обеспечивая интуитивное управление и точное размещение контакта. Особенно эта функция важна для высокочастотных измерений и измерений с высокой мощностью.

Регулировочная шкала по высоте

Точная регулировка зондовой платформы по высоте составляет 25 мм и требуется для поддержки различных измерений. Уникальная шкала с точностью 1 мм обеспечивает наглядность текущего положение платформы.

Компактная и жесткая конструкция платформы

Компактная и жесткая конструкция платформы обеспечивает размещение до десяти микропозиционеров для измерений на постоянном токе и до четырех высокочастотных.

Различные держатели пластин

Предлагаются ручные станции с различными техническими решениями держателей пластин. Компания MPI предлагает коаксиальные, триаксиальные и различные термические держатели пластин для выполнения температурных измерений в диапазоне до 300°C.

Дополнительные держатели (для калибровочных пластин)

В комплекте с высокочастотными держателями пластин входят два дополнительных держателя, встроенные в керамический материал для размещения калибровочных пластин

Выбор различных микроскопов и типов перемещений микроскопов

Предлагается большой ассортимент микроскопов и типов перемещений. Стереоскопический микроскоп для выполнения измерений на постоянном токе и вольт-фарадных характеристик. Монокулярные микроскопы MPI SZ10 или MZ12 для ВЧ конфигураций. Имеются в наличии высокомощные оптические устройства, например, Mitutoyo FS70 или Motic PSM-1000, для приложений, выполняющих анализ отказов.

Откидывание микроскопа

Откидывание микроскопа на 90 градусов, стандартная опция для ручных зондовых станций так же, как и перемещение микроскопа при помощи пневматического подшипника и линейный подъем микроскопа по оси Z. Эти опции позволяют легко устанавливать и менять ВЧ головки.

Антивибрационная платформа

В состав всех ручных систем входит антивибрационное основание для достижения стабильного и устойчивого длительного контакта между зондом и подложкой, обеспечивая, таким образом, надежные результаты измерений. Антивибрационная платформа или антивибрационный стол являются дополнительными приспособлениями для лабораторий, где требуется всесторонняя защита от вибраций и заказываются отдельно.

Светоизоляционный корпус

Предлагаемый светоизоляционный корпус обеспечивает защиту от электромагнитных излучений и светонепроницаемые условия проведения испытаний для сверхмалошумных измерений на постоянном токе.

Станции TS200 компании MPI просты в использовании. Предназначены для прецизионного анализа подложек и полупроводниковых пластин размером до 200 мм. Данные станции подходят для решения самых различных задач, включая анализ отказов, проверку параметров структур на этапе проектирования интегральных схем, микроэлектромеханических систем (MEMS), а так же определение характеристик и моделирование устройств высокой мощности

Основная область применения

Cнятие характеристик и моделирование устройств, оценка надежности кристаллов на подложке, анализ дефектов технологии ИС, МЭМС и измерения высокой мощности.

Технические характеристики